КТ3102Е
Транзисторы КТ3102Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.122ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BCY57, BFX65, BC109CP, BC547B.
Основные технические характеристики транзистора КТ3102Е:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400... 1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 1 кГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс
Характеристики транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К:
Тип транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП max |
Т max |
IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max |
h21Э |
UКЭ нас. |
IКБО |
f гp. |
КШ |
СК |
СЭ |
мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
КТ3102А |
n-p-n |
100 |
200 |
50 |
50 |
5 |
250 |
100…250 |
- |
0,05 |
300 |
10 |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ3102Б |
n-p-n |
100 |
200 |
50 |
50 |
5 |
250 |
200…500 |
- |
0,05 |
300 |
10 |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ3102В |
n-p-n |
100 |
200 |
30 |
30 |
5 |
250 |
200…500 |
- |
0,015 |
300 |
10 |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ3102Г |
n-p-n |
100 |
200 |
20 |
20 |
5 |
250 |
400…1000 |
- |
0,015 |
300 |
10 |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ3102Д |
n-p-n |
100 |
200 |
30 |
30 |
5 |
250 |
200…500 |
- |
0,015 |
300 |
4 |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ3102Е |
n-p-n |
100 |
200 |
20 |
20 |
5 |
250 |
400…1000 |
- |
0,015 |
300 |
4 |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ3102Ж |
n-p-n |
100 |
200 |
50 |
50 |
5 |
250 |
100…250 |
- |
0,05 |
300 |
- |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ3102И |
n-p-n |
100 |
200 |
50 |
50 |
5 |
250 |
200…500 |
- |
0,05 |
300 |
- |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
КТ3102К |
n-p-n |
100 |
200 |
30 |
30 |
5 |
250 |
200…500 |
- |
0,015 |
300 |
- |
6 |
- |
125 |
-40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.