Каталог

19N10 (Код товара: 19n10)

Рейтинг:
Цена: 110.00 руб.
Есть в наличии

100V 2,4A N-канал TO263

Описание

FQD19N10LTM - это силовой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом расширения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и высокой устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных источников питания, аудиоусилителей и устройств с регулируемой импульсной мощностью.

• 100% лавинные испытания
• 14 нКл Типичный низкий заряд затвора
• 35 пФ Типичный низкий Crss

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Крутизна характеристики, S 14
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet FQD19N10LTM
pdf, 1447 КБ
Datasheet FQD19N10LTM
pdf, 1433 КБ
FQD19N10L
pdf, 1406 КБ
Отзыв
Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support
Режим работы:
с пн.-пт. 9.30-18.00,
суббота до 15.00.
Адрес: 443092, г.Самара, 
ул.Физкультурная, д. 123,
Тел.: +7 846 992-32-63,
E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.
      Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.
 

Яндекс.Метрика

beget.com/ru